首页 > 商品目录 > > > > STD11NM65N代替型号比较

STD11NM65N  与  IPD60R600C6ATMA1  区别

型号 STD11NM65N IPD60R600C6ATMA1
唯样编号 A3-STD11NM65N A-IPD60R600C6ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 650V 11A DPAK MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 63W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 2.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.3A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD11NM65N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD60R600C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK11P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD65R420CFDAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R420CFDA_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK10P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
TK8P60W5,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售