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STD11N65M2  与  IPD65R650CE  区别

型号 STD11N65M2 IPD65R650CE
唯样编号 A3-STD11N65M2 A-IPD65R650CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 650mΩ
Moisture Level - 3
漏源极电压Vds - 650V
Rth - 2.0K/W
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id - 7A
工作温度 - -40.0°C
Ptot max - 63.0W
QG - 23.0nC
Budgetary Price €€/1k - 0.45
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD11N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD65R650CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R650CEATMA1_650mΩ 650V 7A DPAK (TO-252) -40.0°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 2,500 对比
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V

暂无价格 0 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
TK7P60W5,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 7A(Ta)

暂无价格 0 对比

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