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STD11N60DM2  与  IPD65R600E6  区别

型号 STD11N60DM2 IPD65R600E6
唯样编号 A3-STD11N60DM2 A-IPD65R600E6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 540mΩ
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
连续漏极电流Id - 7.3A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSE6
长度 - 6.5mm
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD11N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD65R600E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R600E6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK7P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 7A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R385CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R385CP_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R385CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R385CPATMA1_83W 385mΩ 27A 600V DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPD65R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R600E6ATMA1_650V 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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