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STD11N60DM2  与  IPD60R385CP  区别

型号 STD11N60DM2 IPD60R385CP
唯样编号 A3-STD11N60DM2 A-IPD60R385CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 385mΩ
上升时间 - 5ns
Qg-栅极电荷 - 22nC
Rth - 1.5K/W
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id - 27A
工作温度 - -55°C~150°C
配置 - Single
Ptot max - 83.0W
长度 - 6.5mm
QG - 17.0nC
下降时间 - 5ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.73
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCP
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD11N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD65R600E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R600E6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK7P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 7A(Ta)

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IPD60R385CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R385CP_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPD60R385CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R385CPATMA1_83W 385mΩ 27A 600V DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V -55°C~150°C

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IPD65R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R600E6ATMA1_650V 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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