首页 > 商品目录 > > > > STD10P6F6代替型号比较

STD10P6F6  与  NTD2955T4G  区别

型号 STD10P6F6 NTD2955T4G
唯样编号 A3-STD10P6F6 A36-NTD2955T4G
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P CH 60V 10A DPAK MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 55W(Tj)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,Dpak,SC-63
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 12A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 12,500 2,520
工厂交货期 5 - 7天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.135
100+ :  ¥2.409
1,250+ :  ¥2.101
2,500+ :  ¥2.002
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 12,500 当前型号
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥3.135 

阶梯数 价格
20: ¥3.135
100: ¥2.409
1,250: ¥2.101
2,500: ¥2.002
2,520 对比
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
SPD09P06PL G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD09P06PLGBTMA1_60V 9.7A 250mΩ 10V 42W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFR9024NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) 175mΩ@6.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
AUIRFR9024N Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 11A 175mΩ 38W 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售