首页 > 商品目录 > > > > STD10NM60N代替型号比较

STD10NM60N  与  IPD80R600P7  区别

型号 STD10NM60N IPD80R600P7
唯样编号 A3-STD10NM60N A-IPD80R600P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@4A,10V 600mΩ
漏源极电压Vds 600V 800V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 70W -
栅极电压Vgs ±25V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - price/performance
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 8.0nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 8A
RthJC max - 2.1 K/W
QG (typ @10V) - 20.0 nC
Ptot max - 60.0W
Budgetary Price €€/1k - 0.51
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A

暂无价格 15,000 当前型号
IPD60R600C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6ATMA1_63W 600mΩ 600V 7.3A DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCD620N60ZF ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

暂无价格 0 对比
IPD80R600P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R600P7ATMA1_600mΩ 800V 8A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售