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STD10NM60N  与  IPD60R600C6  区别

型号 STD10NM60N IPD60R600C6
唯样编号 A3-STD10NM60N A-IPD60R600C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@4A,10V 600mΩ
上升时间 - 9ns
Qg-栅极电荷 - 20.5nC
Rth - 2.0K/W
栅极电压Vgs ±25V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 7.3A
配置 - Single
Ptot max - 63.0W
长度 - 6.5mm
QG - 20.5nC
下降时间 - 13ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.4
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 70W 63W
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC6
典型接通延迟时间 - 12ns
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A

暂无价格 15,000 当前型号
IPD60R600C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6ATMA1_63W 600mΩ 600V 7.3A DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V -55°C~150°C

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IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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FCD620N60ZF ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

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IPD80R600P7ATMA1_600mΩ 800V 8A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

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