STD10N60DM2 与 R6009JND3TL1 区别
| 型号 | STD10N60DM2 | R6009JND3TL1 | ||||||
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| 唯样编号 | A3-STD10N60DM2 | A33-R6009JND3TL1-0 | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 8A DPAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 125W(Tc) | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||
| 栅极电荷Qg | - | 22nC@15V | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 585mOhms@4.5A,15V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 7V@1.38mA | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 10,000 | 100 | ||||||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STD10N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 当前型号 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
￥14.8049
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100 | 对比 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
￥14.8049
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97 | 对比 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 70 | 对比 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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