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STB80NF10T4  与  IRFS59N10DTRLP  区别

型号 STB80NF10T4 IRFS59N10DTRLP
唯样编号 A3-STB80NF10T4 A-IRFS59N10DTRLP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Single N-Channel 100 V 3.8 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@35.4A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),200W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 59A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 当前型号
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 110A

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
IRFS59N10DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB412L AOS 功率MOSFET

8.2A(Ta),60A(Tc) N-Channel ±25V 15.5 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.6W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
PHB45NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB45NQ10T_SOT404 N-Channel 150W 175℃ 3V 100V 47A

¥7.4631 

阶梯数 价格
210: ¥7.4631
400: ¥6.3247
800: ¥5.8025
0 对比

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