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STB75NF75LT4  与  IRFS3607TRLPBF  区别

型号 STB75NF75LT4 IRFS3607TRLPBF
唯样编号 A3-STB75NF75LT4 A-IRFS3607TRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 140W
宽度 - 9.25mm
漏源极电压Vds - 75V
Qg-栅极电荷 - 56nC
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
导通电阻Rds(On) - 7.34mΩ
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.8mΩ@78A,10V N-Channel 75V 100A TO-263

暂无价格 0 对比
PSMN012-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 11mΩ@10V 148W 175°C 3V 80V 74A

¥9.6652 

阶梯数 价格
800: ¥9.6652
0 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6.6mΩ@4.5V,5.5mΩ@10V,6.1mΩ@5V 300W 175°C 1.5V 75V 75A

¥21.9934 

阶梯数 价格
800: ¥21.9934
0 对比
IRF3808STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@82A,10V N-Channel 75V 106A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3607TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 对比

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