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STB45N65M5  与  IPB65R099C6  区别

型号 STB45N65M5 IPB65R099C6
唯样编号 A3-STB45N65M5 A-IPB65R099C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 89mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 278W
Qg-栅极电荷 - 127nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 77ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id - 38A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 10.6ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB45N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 当前型号
IPB60R099CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R099CP_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB60R099CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R099CPATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 31A 90mΩ 20V 255W N-Channel

暂无价格 0 对比
IPB65R099C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R099C6_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB65R099C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R099C6ATMA1_650V 38A 89mΩ 20V 278W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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