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STB36NM60ND  与  IPB60R125C6  区别

型号 STB36NM60ND IPB60R125C6
唯样编号 A3-STB36NM60ND A-IPB60R125C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 125mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 219W
Qg-栅极电荷 - 96nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 83nS
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 D2PAK -
连续漏极电流Id - 30A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
下降时间 - 7nS
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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