STB36NF06LT4 与 IRFZ34NSTRRPBF 区别
| 型号 | STB36NF06LT4 | IRFZ34NSTRRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STB36NF06LT4 | A-IRFZ34NSTRRPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | 55V, 29A, 0.04OHM, D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 40mΩ@16A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.8W(Ta),68W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 29A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 700pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB36NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 |
|
PHB32N06LT,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 97W 175°C 1.5V 60V 34A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFZ34NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@16A,10V N-Channel 55V 29A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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