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STB35N60DM2  与  IPB60R099C6  区别

型号 STB35N60DM2 IPB60R099C6
唯样编号 A3-STB35N60DM2 A-IPB60R099C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 99mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 278W
Qg-栅极电荷 - 119nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 75ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 37.9A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2660pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 119nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB35N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB60R099C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R099C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 99mΩ 20V 278W N-Channel

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IPB60R099C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R099C6_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

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AOB42S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 37A 417W 109mΩ@10V

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