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STB33N60M2  与  AOB42S60  区别

型号 STB33N60M2 AOB42S60
唯样编号 A3-STB33N60M2 A-AOB42S60
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.7
Td(off)(ns) - 136
Rds On(Max)@Id,Vgs - 109mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
Qrr(nC) - 10500
VGS(th) - 3.8
Qgd(nC) - 11.9
栅极电压Vgs - 30V
FET类型 - N-Channel
Td(on)(ns) - 38.5
封装/外壳 TO-263-3 TO-263
连续漏极电流Id - 37A
Ciss(pF) - 2154
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 473
Coss(pF) - 135
Qg*(nC) - 40*
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB33N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 4,000 当前型号
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IPB60R099CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPB60R099CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R099CP_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOB42S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 37A 417W 109mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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