STB28NM60ND 与 R6020ENJTL 区别
| 型号 | STB28NM60ND | R6020ENJTL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STB28NM60ND | A3-R6020ENJTL |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 196mΩ@9.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 40W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | - | 20A(Tc) |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1400pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 197 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB28NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥39.0675
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520 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 197 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥35.2095
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100 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOB27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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