首页 > 商品目录 > > > > STB28NM60ND代替型号比较

STB28NM60ND  与  R6020ENJTL  区别

型号 STB28NM60ND R6020ENJTL
唯样编号 A3-STB28NM60ND A3-R6020ENJTL
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 196mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥79.1411 

阶梯数 价格
2: ¥79.1411
10: ¥21.9246
50: ¥17.6796
100: ¥16.8363
500: ¥16.2039
1,000: ¥15.7727
2,000: ¥15.696
2,000 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥79.1411 

阶梯数 价格
2: ¥79.1411
10: ¥21.9246
50: ¥17.6796
100: ¥16.8363
220 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥35.2095 

阶梯数 价格
1: ¥35.2095
100: ¥20.3511
1,000: ¥12.9026
100 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 对比
IPB60R190C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6ATMA1_10mm

¥2.024 

阶梯数 价格
1: ¥2.024
2: ¥1.862
4: ¥1.7129
4 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售