尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > STB28NM60ND代替型号比较

STB28NM60ND  与  IPB65R150CFDA  区别

型号 STB28NM60ND IPB65R150CFDA
唯样编号 A3-STB28NM60ND A-IPB65R150CFDA
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ
Encryption - no
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3.5V,4.5V
Special Features - automotive
封装/外壳 D2PAK D2PAK (TO-263)
连续漏极电流Id - 22.4A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 86.0 nC
Ptot max - 195.3W
Language - PSpice
长度 - 10mm
Technology - CoolMOS™ CFDA
高度 - 4.4mm
Budgetary Price €€/1k - 1.88
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 650V
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0 Pins
Mounting - SMT
RthJC max - 0.64 K/W
通道数量 - 1Channel
Product Category - Power MOSFET HV CoolMOS™
Simulator - SIMetrix
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥37.5439 

阶梯数 价格
4: ¥37.5439
10: ¥19.5577
50: ¥15.7727
100: ¥15.0157
500: ¥14.4503
1,000: ¥14.0766
1,120 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥35.2095 

阶梯数 价格
1: ¥35.2095
100: ¥20.3511
1,000: ¥12.9026
100 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
IPB65R150CFDA Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R150CFDAATMA1_150mΩ 650V 22.4A D2PAK (TO-263) N-Channel 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售