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STB28NM60ND  与  AOB27S60L  区别

型号 STB28NM60ND AOB27S60L
唯样编号 A3-STB28NM60ND A-AOB27S60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.3
Td(off)(ns) - 99
Rds On(Max)@Id,Vgs - 160mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 357W
Qrr(nC) - 7500
VGS(th) - 4
Qgd(nC) - 8.8
栅极电压Vgs - 30V
FET类型 - N-Channel
Td(on)(ns) - 31
封装/外壳 D2PAK TO-263
连续漏极电流Id - 27A
Ciss(pF) - 1294
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 440
Coss(pF) - 80
Qg*(nC) - 26*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥37.5439 

阶梯数 价格
4: ¥37.5439
10: ¥19.5577
30: ¥15.7727
50: ¥15.0157
100: ¥14.4503
300: ¥14.0766
500: ¥13.9999
520 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 197 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥35.2095 

阶梯数 价格
1: ¥35.2095
100: ¥20.3511
1,000: ¥12.9026
100 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
AOB27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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