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STB28NM50N  与  IPB50R140CP  区别

型号 STB28NM50N IPB50R140CP
唯样编号 A3-STB28NM50N A-IPB50R140CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 130mΩ
上升时间 - 14ns
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 192W
Qg-栅极电荷 - 64nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id - 23A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 10mm
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 35ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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