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STB25N80K5  与  R6015ENJTL  区别

型号 STB25N80K5 R6015ENJTL
唯样编号 A3-STB25N80K5 A33-R6015ENJTL-0
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@6.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
连续漏极电流Id - 15A(Tc)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.9979
50+ :  ¥8.835
100+ :  ¥8.6625
500+ :  ¥8.6242
1,000+ :  ¥8.605
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
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SPB17N80C3ATMA1_TO-263

¥39.8916 

阶梯数 价格
4: ¥39.8916
10: ¥33.4522
50: ¥29.5905
100: ¥26.3516
500: ¥26.3229
1,000: ¥26.2558
3,000 对比
SPB17N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB17N80C3ATMA1_TO-263

暂无价格 1,000 对比
R6015ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥8.9979 

阶梯数 价格
20: ¥8.9979
50: ¥8.835
100: ¥8.6625
500: ¥8.6242
1,000: ¥8.605
1,000 对比
R6020JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

LPTS

¥63.0331 

阶梯数 价格
3: ¥63.0331
10: ¥34.6692
50: ¥31.2003
100: ¥24.761
100 对比
R6020JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

LPTS

暂无价格 100 对比

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