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STB25N80K5  与  R6020JNJGTL  区别

型号 STB25N80K5 R6020JNJGTL
唯样编号 A3-STB25N80K5 A3-R6020JNJGTL
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 252W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-263-3 LPTS
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 3.5mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 234 毫欧 @ 10A,15V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 45nC @ 15V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB25N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
SPB17N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB17N80C3ATMA1_TO-263

¥39.8916 

阶梯数 价格
4: ¥39.8916
10: ¥33.4522
50: ¥29.5905
100: ¥26.3516
500: ¥26.3229
1,000: ¥26.2558
3,000 对比
SPB17N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB17N80C3ATMA1_TO-263

暂无价格 1,000 对比
R6015ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥8.9979 

阶梯数 价格
20: ¥8.9979
50: ¥8.835
100: ¥8.6625
500: ¥8.6242
1,000: ¥8.605
1,000 对比
R6020JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

LPTS

¥63.0331 

阶梯数 价格
3: ¥63.0331
10: ¥34.6692
50: ¥31.2003
100: ¥24.761
100 对比
R6020JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

LPTS

暂无价格 100 对比

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