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STB20N65M5  与  AOB25S65L  区别

型号 STB20N65M5 AOB25S65L
唯样编号 A3-STB20N65M5 A-AOB25S65L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3 TO-263(D?Pak)
连续漏极电流Id - 25A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190 mΩ @ 12.5A,10V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 357W(Tc)
栅极电荷Qg - 26.4nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB60R190C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6ATMA1_10mm

¥2.024 

阶梯数 价格
1: ¥2.024
2: ¥1.862
4: ¥1.7129
4 对比
SPB20N60C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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TO-263(D?Pak)

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暂无价格 0 对比
IPB60R190C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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