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STB160N75F3  与  IRFS3306TRLPBF  区别

型号 STB160N75F3 IRFS3306TRLPBF
唯样编号 A3-STB160N75F3 A-IRFS3306TRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ
上升时间 - 76ns
Qg-栅极电荷 - 85nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 230S
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 160A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 77ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 230W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 - N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 27,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 27,000 当前型号
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 300W 175°C 1.5V 75V 75A

暂无价格 0 对比
IRF3808STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@82A,10V N-Channel 75V 106A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF2805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 135A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3107TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 60V 160A 3.3mΩ 20V 230W N-Channel

暂无价格 0 对比

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