首页 > 商品目录 > > > > STB10NK60ZT4代替型号比较

STB10NK60ZT4  与  AOB10N60L  区别

型号 STB10NK60ZT4 AOB10N60L
唯样编号 A3-STB10NK60ZT4 A-AOB10N60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3 TO-263(D?Pak)
连续漏极电流Id - 10A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 750 mΩ @ 5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 250W(Tc)
栅极电荷Qg - 40nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB10NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
SPB04N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB04N60C3ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
SPB07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB07N60C3ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
SPB04N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB04N60S5ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
AOB10N60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比
AOB12N60FDL AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售