SIR876ADP-T1-GE3 与 RS6P060BHTB1 区别
| 型号 | SIR876ADP-T1-GE3 | RS6P060BHTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SIR876ADP-T1-GE3 | A3-RS6P060BHTB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 5W(Ta),62.5W(Tc) | 73W |
| 漏源极电压Vds | 2.8V | 100V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | HSOP8 (Single) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 40A | 60A |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1630pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 49nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 10.8mΩ | 10.6mΩ@60A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 100 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥10.8952
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2,469 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥15.8589
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥24.2322
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100 | 对比 |
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