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SIHP12N50C-E3  与  STP14NM50N  区别

型号 SIHP12N50C-E3 STP14NM50N
唯样编号 A3-SIHP12N50C-E3 A3-STP14NM50N
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 500 V 0.555 O 48 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB MOSFET N-CH 500V 12A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.7mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 555mΩ -
上升时间 35ns -
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 208W -
Qg-栅极电荷 32nC -
栅极电压Vgs 5V -
典型关闭延迟时间 23ns -
封装/外壳 TO-220AB-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 12A -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1375pF @ 25V -
长度 10.41mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 6ns -
典型接通延迟时间 18ns -
高度 15.49mm -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP12N50C-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 12A 208W 555mΩ 500V 5V TO-220AB-3

暂无价格 0 当前型号
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 13,100 对比
STP14NM50N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 3,000 对比
STP14NM50N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥5.533 

阶梯数 价格
10: ¥5.533
50: ¥5.126
1,000 对比
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2 对比
STP14NM50N(KEC) STMicro 未分类

暂无价格 0 对比

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