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SIHB22N60ET1-GE3  与  R6024KNJTL  区别

型号 SIHB22N60ET1-GE3 R6024KNJTL
唯样编号 A3-SIHB22N60ET1-GE3 A3-R6024KNJTL
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ 165mΩ@11.3A,10V
上升时间 27ns -
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 227W 245W(Tc)
Qg-栅极电荷 57nC -
栅极电压Vgs 4V ±20V
典型关闭延迟时间 66ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 - TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
连续漏极电流Id 21A 24A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
系列 E -
电压 600V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 35ns -
典型接通延迟时间 18ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 261
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHB22N60ET1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

650V 21A 180mΩ 4V N-Channel 227W -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
R6024KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 245W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 261 对比
R6024KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 245W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥16.1368 

阶梯数 价格
10: ¥16.1368
50: ¥15.8398
68 对比
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
STB27NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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