SI7613DN-T1-GE3 与 AON7407 区别
| 型号 | SI7613DN-T1-GE3 | AON7407 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3-SI7613DN-T1-GE3 | A36-AON7407 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 52.1W | 29W | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±8V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | DFN 3x3 EP | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) | -40A | ||||||||||
| 工作温度 | -50°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 10V | - | ||||||||||
| 电压 | -20V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2620pF | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 8.7mΩ@17A,10V | 9.5mΩ@-14A,-4.5V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 87nC | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 18,361 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI7613DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 35A(Tc) ±16V 8.7mΩ@17A,10V -50°C~150°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 52.1W |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C |
￥1.625
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18,361 | 对比 | ||||||||||||
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DMP2008UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMP2008UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥2.535
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652 | 对比 | ||||||||||||
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AON7407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||
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AON7407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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