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SI7121ADN-T1-GE3  与  PXP018-30QLJ  区别

型号 SI7121ADN-T1-GE3 PXP018-30QLJ
唯样编号 A3-SI7121ADN-T1-GE3 A3t-PXP018-30QLJ
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P Channel 30 V 15 mO 3.5 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPak 1212-8 (3x3) PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3.5W(Ta),27.8W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 1.7W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 2.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 447 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10.8 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerPak1212-8 SOT8002
连续漏极电流Id 18A -
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250uA
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 18 毫欧 @ 7.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.5A(Ta),19.2A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30 V
导通电阻Rds(On) 21mΩ -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7121ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 12A(Ta) ±25V 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 15m Ohms@7A,10V -50°C~150°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 PowerPak1212-8 30V 18A 21mΩ 2.5V

暂无价格 3,000 当前型号
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

¥2.3793 

阶梯数 价格
5,000: ¥2.3793
0 对比
IRFHM9331TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 10mΩ@11A,20V P-Channel 30V 11A PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
BSZ120P03NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 40A 9mΩ 25V 52W P-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8

暂无价格 0 对比
PXP018-30QLJ Nexperia  数据手册 通用MOSFET

SOT8002 -55°C~150°C(TJ) N 通道

暂无价格 0 对比

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