SI4816BDY-T1-GE3 与 IRF7904TRPBF 区别
| 型号 | SI4816BDY-T1-GE3 | IRF7904TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI4816BDY-T1-GE3 | A-IRF7904TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.0185/0.0115 O 10 nC Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Dual N-Channel 30 V 1.4/2 W 7.5/14 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.5mΩ,9.3mΩ | 16.2mΩ@7.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W,1.25W | 1.4W,2W |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.8A | 7.6A,11A |
| 系列 | LITTLE FOOT® | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.25V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 5V | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.25V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1W,1.25W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 5.8A 15.5mΩ,9.3mΩ |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 |
|
IRF7904TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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