SI4459ADY-T1-GE3 与 FDS6681Z 区别
| 型号 | SI4459ADY-T1-GE3 | FDS6681Z | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-SI4459ADY-T1-GE3 | A36-FDS6681Z | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 3.5W(Ta),7.8W(Tc) | 2.5W(Ta) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOIC-8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 19.7A | -20A | ||||||||
| 系列 | SI | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6000pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 195nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 5mΩ | 4.6mΩ@-20A,-10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,500 | 2,547 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.5W(Ta),7.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 19.7A 5mΩ |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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FDS6681Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.5W(Ta) 4.6mΩ@-20A,-10V P-Channel -20A -30V SOIC-8 -55°C~150°C |
￥5.902
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2,547 | 对比 | ||||||||||
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IRF9310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF9310TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF9317TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@16A,10V P-Channel 30V 16A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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