SI4435DDY-T1-GE3 与 SI4435DY 区别
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 | SI4435DY |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI4435DDY-T1-GE3 | A3-SI4435DY |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.9mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24mΩ | 0.035 0hms |
| 引脚数目 | - | 8 |
| 最小栅阈值电压 | - | 1V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8.1A | 8.8 A |
| 长度 | - | 4.9mm |
| 最低工作温度 | - | -55 °C |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 正向二极管电压 | - | 1.2V |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 最高工作温度 | - | +175 °C |
| 高度 | - | 1.57mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 42 ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 1604 pF @ -15 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5W(Tc) | 2.5W |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | P-Channel | 增强 |
| 系列 | SI | PowerTrench |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1350pF @ 15V | 1604pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | 24nC @ 5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 13 ns |
| 正向跨导 | - | 24S |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20,000 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ |
暂无价格 | 20,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMP3037LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.8A(Ta) |
￥1.364
|
291 | 对比 | ||||||||||
|
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
FDS6675BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥2.893
|
15,085 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V 增强 2.5W 1604 pF @ -15 V SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
