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SI4435DDY-T1-GE3  与  DMG4435SSS-13  区别

型号 SI4435DDY-T1-GE3 DMG4435SSS-13
唯样编号 A3-SI4435DDY-T1-GE3 A3-DMG4435SSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ 16mΩ@11A,20V
上升时间 - 12.7ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc) 2.5W
Qg-栅极电荷 - 35.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±25V
典型关闭延迟时间 - 44.9ns
正向跨导 - 最小值 - 22S
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 8.1A 7.3A
系列 SI DMG4435
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 15V 1614pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V 35.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 5V,20V
下降时间 - 22.8ns
典型接通延迟时间 - 8.6ns
库存与单价
库存 20,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ

暂无价格 20,000 当前型号
DMP3037LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.8A(Ta)

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.869
868 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel

暂无价格 0 对比
FDS6675BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥3.003 

阶梯数 价格
20: ¥3.003
100: ¥2.31
1,250: ¥2.013
2,500: ¥1.914
5,090 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比

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