SI4401DDY-T1-GE3 与 FDS4675 区别
| 型号 | SI4401DDY-T1-GE3 | FDS4675 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI4401DDY-T1-GE3 | A-FDS4675 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | P-Channel 40 V 13 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 6.3W | 2.4W(Ta) |
| 上升时间 | 11ns | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Qg-栅极电荷 | 64nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1.2V | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | 45ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 37S | - |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 16.1A | 11A |
| 系列 | SI4 | PowerTrench® |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3007pF @ 20V | 4350pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | 56nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 9ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 13ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 15mΩ | 13m Ohms@11A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥10.1901
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5,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥10.3299
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1,632 | 对比 | ||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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TPC8124(TE12L,V,M) | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDS4675 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11A(Ta) ±20V 2.4W(Ta) 13m Ohms@11A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 11A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
