SI4178DY-T1-GE3 与 DMN3030LSS-13 区别
| 型号 | SI4178DY-T1-GE3 | DMN3030LSS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI4178DY-T1-GE3 | A36-DMN3030LSS-13 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2.4W(Ta),5W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 栅极电压Vgs | ±25V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 12A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 405pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 17mΩ | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 1 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.4W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 12A 17mΩ |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥0.4927
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2,577 | 对比 | ||||||||
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DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||
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AO4466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V |
￥1.098
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2,387 | 对比 | ||||||||
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DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
￥1.488
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395 | 对比 | ||||||||
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DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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