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SI4178DY-T1-GE3  与  DMN3018SSS-13  区别

型号 SI4178DY-T1-GE3 DMN3018SSS-13
唯样编号 A3-SI4178DY-T1-GE3 A36-DMN3018SSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2.4W(Ta),5W(Tc) 1.4W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 21mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 697 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±25V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 13.2 nC @ 10 V
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A 7.3A(Ta)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 17mΩ -
库存与单价
库存 2,500 1,775
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.0763
100+ :  ¥0.8277
1,250+ :  ¥0.7017
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4178DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.4W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 12A 17mΩ

暂无价格 2,500 当前型号
AO4466 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V

¥1.2428 

阶梯数 价格
50: ¥1.2428
200: ¥0.9568
1,500: ¥0.832
3,000: ¥0.7748
3,000 对比
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C

¥0.4979 

阶梯数 价格
110: ¥0.4979
200: ¥0.3211
1,500: ¥0.2795
2,627 对比
DMN3030LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 对比
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta)

¥1.0763 

阶梯数 价格
50: ¥1.0763
100: ¥0.8277
1,250: ¥0.7017
1,775 对比
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta)

¥0.6604 

阶梯数 价格
80: ¥0.6604
1,362 对比

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