SI4178DY-T1-GE3 与 AO4496 区别
| 型号 | SI4178DY-T1-GE3 | AO4496 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI4178DY-T1-GE3 | A36-AO4496 | ||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 55 | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 26mΩ | ||||||
| Qgd(nC) | - | 2.2 | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 10A | ||||||
| Ciss(pF) | - | 550 | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 17mΩ | 19.5mΩ@10A,10V | ||||||
| Trr(ns) | - | 22 Ohms | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 24 | ||||||
| 功率耗散Pd | 2.4W(Ta),5W(Tc) | 3.1W | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Qrr(nC) | - | 14 | ||||||
| VGS(th) | - | 2.5 | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 405pF @ 15V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - | ||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 4.6 | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,500 | 2,627 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.4W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 12A 17mΩ |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO4466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 3.1W 23mΩ@10V |
￥1.2428
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥0.4979
|
2,627 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
￥1.0763
|
1,775 | 对比 | ||||||||||
|
|
DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
￥0.6604
|
1,362 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
