SI4166DY-T1-GE3 与 IRF7832TRPBF 区别
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规格信息
型号	SI4166DY-T1-GE3	IRF7832TRPBF
唯样编号	A3-SI4166DY-T1-GE3	A-IRF7832TRPBF
制造商	Vishay	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 30 V 3.9 mOhm 6.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8	Single N-Channel 30 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表	SI4166DY-T1-GE3.pdf	IRF7832TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率耗散Pd	-	2.5W(Ta)
漏源极电压Vds	-	30V
栅极电压Vgs	-	±20V
FET类型	-	N-Channel
封装/外壳	SO-8	8-SO
工作温度	-	-55°C~155°C(TJ)
连续漏极电流Id	-	20A
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	2.32V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	4310pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	51nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2.32V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	4310pF @ 15V
导通电阻Rds(On)	-	4mΩ@20A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	51nC @ 4.5V
库存与单价
库存	2,500	0
工厂交货期	3 - 15天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SI4166DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	MOSFET	SO-8	暂无价格	2,500	当前型号
IRF7832PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO	暂无价格	0	对比
FDS8870	ON Semiconductor		通用MOSFET	18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.2m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 18A 8-SOIC	暂无价格	0	对比
FDS8870	ON Semiconductor		通用MOSFET	18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.2m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 18A 8-SOIC	暂无价格	0	对比
IRF8736TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO	暂无价格	0	对比
IRF7832TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO	暂无价格	0	对比