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SI4056DY-T1-GE3  与  FDS86141  区别

型号 SI4056DY-T1-GE3 FDS86141
唯样编号 A3-SI4056DY-T1-GE3 A-FDS86141
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET FDS86141 Series 100 V 7 A 23 mOhm SMT N-Ch PowerTrench® MOSFET - SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ 23m Ohms@7A,10V
漏源极电压Vds 2.8V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11.1A 7A
系列 SI PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 50V 934pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29.5nC @ 10V 16.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4056DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 11.1A 23mΩ 2.8V

暂无价格 0 当前型号
AO4292E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55℃~150℃

¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.65
240 对比
AO4292E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55℃~150℃

¥2.6864 

阶梯数 价格
3,000: ¥2.6864
0 对比
AO4292E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 100V ±20V 8A 3.1W 23mΩ@8A,10V -55℃~150℃

¥5.4906 

阶梯数 价格
3,000: ¥5.4906
0 对比
IRF7853TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 18mΩ@8.3A,10V N-Channel 100V 8.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS86141 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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