SI3459BDV-T1-GE3 与 FDC5614P 区别
| 型号 | SI3459BDV-T1-GE3 | FDC5614P | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3-SI3459BDV-T1-GE3 | A36-FDC5614P | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET | P-Channel 60 V 105 mohm Logic Level PowerTrench Mosfet - SSOT-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta),3.3W(Tc) | - | ||||||||||
| 宽度 | 1.65 mm | - | ||||||||||
| 零件号别名 | SI3459BDV-GE3 | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 3V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SuperSOT-6 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.2A | - | ||||||||||
| 系列 | SI | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||
| 长度 | 3.05 mm | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 350pF @ 30V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 216mΩ | - | ||||||||||
| 高度 | 1.1 mm | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 11,714 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI3459BDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 P-Channel 2.2A 216mΩ 3V |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
￥1.885
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11,714 | 对比 | ||||||||||||
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NTGS5120PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TSOP-6-1.5mm |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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NTGS5120PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TSOP-6-1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDC5614P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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