SI2371EDS-T1-GE3 与 RQ5E035ATTCL 区别
| 型号 | SI2371EDS-T1-GE3 | RQ5E035ATTCL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI2371EDS-T1-GE3 | A36-RQ5E035ATTCL |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 0.045 O 35 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 45mΩ | 50mΩ@3.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta),1.7W(Tc) | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SC-96 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4.8A | 3.5A(Ta) |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 475pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 34 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 4.8A 45mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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RQ5E035ATTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96 |
暂无价格 | 9,200 | 对比 | ||||||
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FDV304P | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 1.1 Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 25V 0.46A 460mA(Ta) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4147
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371 | 对比 | |||||||
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RQ5E035ATTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96 |
暂无价格 | 34 | 对比 | ||||||
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NXV100XP | Nexperia | 小信号MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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RQ5E035ATTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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