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SI2371EDS-T1-GE3  与  RQ5E035ATTCL  区别

型号 SI2371EDS-T1-GE3 RQ5E035ATTCL
唯样编号 A3-SI2371EDS-T1-GE3 A32-RQ5E035ATTCL-1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 0.045 O 35 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1W(Ta),1.7W(Tc) 1W(Ta)
漏源极电压Vds - 30V
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SC-96
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.8A 3.5A(Ta)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 45mΩ 50mΩ@3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 475pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 0 8,980
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥1.7103
500+ :  ¥1.5679
1,000+ :  ¥1.4251
3,000+ :  ¥1.2114
6,000+ :  ¥1.1402
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2371EDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 4.8A 45mΩ

暂无价格 0 当前型号
RQ5E035ATTCL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96

暂无价格 9,200 对比
RQ5E035ATTCL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96

¥1.7103 

阶梯数 价格
100: ¥1.7103
500: ¥1.5679
1,000: ¥1.4251
3,000: ¥1.2114
6,000: ¥1.1402
8,980 对比
RQ5E035ATTCL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96

¥2.1273 

阶梯数 价格
80: ¥2.1273
100: ¥2.0794
300: ¥1.562
500: ¥1.4566
1,000: ¥1.3799
4,000: ¥1.3224
5,143 对比
RQ5E035ATTCL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SC-96

暂无价格 2 对比
NXV100XP Nexperia 小信号MOSFET

暂无价格 0 对比

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