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SI2347DS-T1-GE3  与  PMV50XPR  区别

型号 SI2347DS-T1-GE3 PMV50XPR
唯样编号 A3-SI2347DS-T1-GE3 A3t-PMV50XPR
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 30 V 42 mOhm 22 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@-3.8A,-10V -
漏源极电压Vds -30V -20V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta),1.7W(Tc) 0.49W
输出电容 - 65pF
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id -3.9A -4.4A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 705pF @ 15V -
输入电容 - 744pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 60mΩ@-3.6A,-4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2347DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.2W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -3.9A 42mΩ@-3.8A,-10V -30V

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PMV50XP Nexperia 通用MOSFET

P-Channel

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PMV50XPR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

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PMV50XPR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

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