SI2333DS-T1-GE3 与 SI2333 区别
| 型号 | SI2333DS-T1-GE3 | SI2333 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI2333DS-T1-GE3 | A3-SI2333-3 |
| 制造商 | Vishay | XBLW |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 18V 连续漏极电流(Id): 7A | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3L |
| 功率耗散Pd | 750mW(Ta) | - |
| 连续漏极电流Id | 4.1A(Ta) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 漏源极电压Vds | 12V | - |
| Vgs(最大值) | ±8V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 32 mOhms @ 5.3A,4.5V | - |
| Vgs(th) | 1V @ 250uA | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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