SI2333 与 SI2333CDS-T1-GE3 区别
| 型号 | SI2333 | SI2333CDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI2333-3 | A-SI2333CDS-T1-GE3 |
| 制造商 | XBLW | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 18V 连续漏极电流(Id): 7A | P-Channel 12 V 0.039 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 12V |
| 栅极电压Vgs | - | ±8V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3L | SOT-23-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 5.1A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1225pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 35mΩ |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 15 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2333 | XBLW | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3L |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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SI2333DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) P-Channel 32 mOhms @ 5.3A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 12V |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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SI2333CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 7.1A(Tc) ±8V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 35mΩ@5.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 12V 5.1A 35mΩ |
暂无价格 | 15 | 对比 |
|
|
SI2333DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) P-Channel 32 mOhms @ 5.3A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 12V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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