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SI2323DDS-T1-GE3  与  DMP2066LSN-7  区别

型号 SI2323DDS-T1-GE3 DMP2066LSN-7
唯样编号 A3-SI2323DDS-T1-GE3 A3-DMP2066LSN-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@4.1A,4.5V -
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta),1.7W(Tc) 1.25W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@4.6A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 820 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±8V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10.1 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-3 SC-59-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -5.3A 4.6A(Ta)
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 8V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2323DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V

暂无价格 0 当前型号
PMV33UPE,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V -20V -5.3A

暂无价格 3,964 对比
AO3415A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C

¥0.8665 

阶梯数 价格
1: ¥0.8665
100: ¥0.7435
110 对比
AO3415A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta)

暂无价格 0 对比

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