SI2323DDS-T1-GE3 与 PMV33UPE,215 区别
| 型号 | SI2323DDS-T1-GE3 | PMV33UPE,215 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI2323DDS-T1-GE3 | A-PMV33UPE,215 |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 39mΩ@4.1A,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | -20V | -20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 960mW(Ta),1.7W(Tc) | 0.49W |
| 输出电容 | - | 208pF |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | -5.3A | -5.3A |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1160pF @ 10V | - |
| 输入电容 | - | 1820pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 8V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 36mΩ@3A,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,964 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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PMV33UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V -20V -5.3A |
暂无价格 | 3,964 | 对比 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
￥0.8665
|
110 | 对比 | ||||||
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AO3415A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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|
DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.25W(Ta) ±12V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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