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SI2304DDS-T1-GE3  与  FDN335N  区别

型号 SI2304DDS-T1-GE3 FDN335N
唯样编号 A3-SI2304DDS-T1-GE3 A36-FDN335N-1
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.7W -
零件号别名 SI2304DDS-GE3 -
上升时间 12ns -
漏源极电压Vds 30V -
Qg-栅极电荷 6.7nC -
栅极电压Vgs 1.2V -
典型关闭延迟时间 10ns -
正向跨导 - 最小值 11S -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 3.6A -
系列 SI2 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 5ns -
典型接通延迟时间 5ns -
导通电阻Rds(On) 60mΩ -
库存与单价
库存 0 6,603
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.9828
200+ :  ¥0.7572
1,500+ :  ¥0.6576
3,000+ :  ¥0.612
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2304DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V

暂无价格 0 当前型号
NTR4170NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

¥0.942 

阶梯数 价格
60: ¥0.942
200: ¥0.6492
1,500: ¥0.6409
3,000: ¥0.598
25,665 对比
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

¥4.8141 

阶梯数 价格
5: ¥4.8141
100: ¥3.566
1,000: ¥2.6415
1,500: ¥2.1652
3,000: ¥1.8828
12,270 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ)

¥1.272 

阶梯数 价格
40: ¥1.272
200: ¥0.9792
1,500: ¥0.852
3,000: ¥0.792
7,653 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.9828 

阶梯数 价格
60: ¥0.9828
200: ¥0.7572
1,500: ¥0.6576
3,000: ¥0.612
6,603 对比
FDN359AN ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比

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