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SI2302CDS-T1-GE3  与  ZXMN2A14FTA  区别

型号 SI2302CDS-T1-GE3 ZXMN2A14FTA
唯样编号 A3-SI2302CDS-T1-GE3 A36-ZXMN2A14FTA
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET ZXMN2A14 Series 20 V 0.06 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ 60mΩ@3.4A,4.5V
上升时间 7ns -
Qg-栅极电荷 5.5nC -
栅极电压Vgs 400mV ±12V
正向跨导 - 最小值 13S -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.9A 4.1A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 7ns -
高度 1.45mm -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 860mW 1W(Ta)
典型关闭延迟时间 30ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SI2 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 544pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V 6.6nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 8ns -
库存与单价
库存 0 2,764
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.584
100+ :  ¥1.265
750+ :  ¥1.133
1,500+ :  ¥1.067
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV

暂无价格 0 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
88,497 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

¥1.584 

阶梯数 价格
40: ¥1.584
100: ¥1.265
750: ¥1.133
1,500: ¥1.067
2,764 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

暂无价格 0 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

暂无价格 0 对比
BSS806NE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS806NEH6327XTSA1_20V 2.3A 41mΩ 8V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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