SI2302CDS-T1-GE3 与 ZXMN2A14FTA 区别
| 型号 | SI2302CDS-T1-GE3 | ZXMN2A14FTA | ||||
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| 唯样编号 | A3-SI2302CDS-T1-GE3 | A36-ZXMN2A14FTA | ||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | ZXMN2A14 Series 20 V 0.06 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | 1.60mm | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 57mΩ | 60mΩ@3.4A,4.5V | ||||
| 上升时间 | 7ns | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | 5.5nC | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 400mV | ±12V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | 13S | - | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 2.9A | 4.1A | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | 2.5V,4.5V | ||||
| 下降时间 | 7ns | - | ||||
| 高度 | 1.45mm | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 860mW | 1W(Ta) | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 30ns | - | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 系列 | SI2 | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 850mV @ 250µA | 700mV @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 544pF @ 10V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.5nC @ 4.5V | 6.6nC @ 4.5V | ||||
| 典型接通延迟时间 | 8ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 744 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
¥0.5239
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4,080 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A |
¥1.639
|
744 | 对比 | ||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSS806NE H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 2.3A 41mΩ 8V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |