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SI2302CDS-T1-GE3  与  DMG2302U-7  区别

型号 SI2302CDS-T1-GE3 DMG2302U-7
唯样编号 A3-SI2302CDS-T1-GE3 A3-DMG2302U-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-Channel 20 V 90 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ 90mΩ@3.6A,4.5V
上升时间 7ns -
Qg-栅极电荷 5.5nC -
栅极电压Vgs 400mV ±8V
正向跨导 - 最小值 13S -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.9A 4.2A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 7ns -
高度 1.45mm -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 860mW 800mW(Ta)
典型关闭延迟时间 30ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SI2 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA 1V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 594.3pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V 7nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 8ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV

暂无价格 0 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
88,497 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

¥1.584 

阶梯数 价格
40: ¥1.584
100: ¥1.265
750: ¥1.133
1,500: ¥1.067
2,764 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

暂无价格 0 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

暂无价格 0 对比
BSS806NE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS806NEH6327XTSA1_20V 2.3A 41mΩ 8V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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